MIM진공 소결로
(MIM High Temperature Vacuum Furnace)

MO400

MO400 초고온 진공 소성로는 최첨단 기술이 집약된 장비로, 대표적인 은 분말의 고온 소결 공정을 통해 불순물 및 유기 성분을 효과적으로 제거하고, 물성을 제어 하여 제품의 밀도 원하는 형태로 제작합니다. 다층 세라믹 커패시터(MLCC), 반도체 패키징등 전기·전자 소재 및 부품에 필수적인 열처리 공정에 최적화되어 있으며, 초정밀 전자회로나 전극을 만드는 핵심 공정입니다.

주요 용도 및 특징

세라믹 나노 분말의 고온 소결

불순물 및 유기 성분 제거, 치밀도에 따른 결정성 향상을 통해 고품질의 세라믹 소재를 구현합니다.

전기·전자 소재 및 부품 열처리

반도체 및 방열 소재 등에 필요한 소결/소성 공정을 수행하여 나노입자 형성 및 표면 처리를 지원합니다.

다양한 소성 환경 지원

1,300℃의 초고온 환경은 물론, 상압, 진공, H/N2 또는 기타 분위기 소성 가공이 가능하여 다양한 소재의 특성에 맞는 맞춤형 공정을 제공합니다.

전도성 페이스트 및 잉크 소결

은 분말을 유기 바인더와 섞어 만든 페이스트(Paste)를 기판(PCB, 세라믹 등)에 인쇄한 후, 소결로에서 열을 가해 유기물은 날려보내고 순수한 은 입자만 남아 전기가 통하는 회로를 형성합니다.

급속 냉각 시스템

소결 완료 후 급속 냉각 기능을 통해 생산성을 향상시키고, 소재의 특성에 맞는 냉각 속도 제어를 통해 최적의 조직 및 물성을 확보할 수 있습니다.

Full-Auto 운전 및 레시피 관리

레시피 기능을 통해 온도, 시간, 분위기, 압력 등의 소결 조건을 정밀하게 설정하고 자동 운전을 지원하여 작업 편의성을 높이고 일관된 품질을 보장합니다.

처음 접하는 사람도 쉽게 사용할 수 있는 인터페이스

쉽게 편리한 레시피 적용 화면

연구 및 생산 공정을 정확히 저장하는 데이터 베이스

보다 직관적이고 편리한 PLC I/O화면

장비 개요 및 주요 구성

장비유형

고온 진공 저항 가열식 전기로

주요 기능

다양한 소성 환경 지원
소재의 특성에 맞는 맞춤형 공정을 제공

설계 목표

고성능, 장기 내구성 (변형/쇼트 최소화)

주요 모듈

Vacuum Chamber, Heating System, Vacuum System, Control System, Utilities

가열 영역 (Heating Zone)

  • Furnace (소성로) & Heating Zone (가열 영역)
  • Furnace Type (로 타입) : Hot Zone Moly Horizontal type (수평형 몰리브덴 핫존 타입)
  • Furnace Shield (로 실드) : Molybdenum Shield (몰리브덴 실드)
  • Furnace Chamber (로 챔버): 냉각수가 공급되는 2중 구조
    재질: STS304 (스테인리스 스틸 304)
  • Furnace Size (내부 규격): W500 x H500 x L1000 mm
  • Working Zone (사용 규격): W400 x H400 x L800 mm

Process Temperature (공정 온도)

  • Working Temperature (작업 온도)
    Normal (정상) : 1,200℃
    Max. (최대): 1,300℃
  • Temp. Accuracy (온도 정확도)
    ± 1℃ (at 1,200℃ 기준)
  • Temp. Uniformity (온도 균일도)
    Work Zone 내부에서 3℃ ~ 10℃ (at 1,200℃, 내부 지그 사용 시)
  • Heating Up Rate (승온 속도)
    Normal (정상): 10℃/min
    Under (최대) : 20℃/min (공챔버 기준)

Heating System (가열 시스템)

  • Heating Element (히팅 엘리먼트)
    원형 방식 type (총 9면 방식)
  • Temp. Measurement (온도 측정)
    R-type Thermocouple (R타입 열전대)
  • Temperature Control (온도 제어)
    3Zone PID Control by Thyristor
    Front (전면), Center (중앙), Back (후면) 각 1 Zone 제어

Atmosphere Control (분위기 제어)

  • 분위기 (Atmosphere)
    High Vacuum (고진공), Nitrogen (질소) or Ar (아르곤)
  • Control (제어)
    Flow Meter Control (유량계 제어)
    MFC (Mass Flow Controller) 및 Mix Tank 장착

Power Supply (전원 공급)

  • 전원: Transformer 380V, 3 Phase, 200 KVA

Vacuum System (진공 시스템)

  • 진공 펌프: Oil Rotary Pump
  • 진공 게이지: pirani, Cold cathode
  • 챔버 구성: ATM 센서, 릴리프 밸브, 슬로우/패스트 러핑 시스템,
  • 펌핑 구조: 승온/냉각 시 챔버 보호 설계
  • 가스 공급: N2, Ar, H2 가스 주입, H2 가스 안전 시스템 (번아웃 및 감지기)
  • 대상물 없이 50분 이내 5 x 10-6 Torr 이하 도달(고진공 장착시)
  • 누설률 (He Leak Test): 5 x 10-9 mbar·l/s 이하